导体形成工艺中的非接触式线路图案

使用较薄的硅可以达成成本最低的晶体电池，但这需要形成非接触导体。 喷墨抗蚀膜，然后快速化学蚀刻，是最具生产力和成本竞争力的线路图案成型的方法。我们的紫外线抗蚀膜可以显着提高手指宽度解析度，使阴影减少 75％ ; 为您的客户带来显着优势。

Helios Inkjet Resist 喷墨抗蚀膜

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使用这种  100％ 固体喷墨抗蚀剂可对正面网格或背面结构进行线路图案化。 可使用成本低的打印机以实现高固化生产率，抗蚀剂具有化学和热稳定性，允许小于 40 微米的图案和零侧蚀蚀刻。 Helios 喷墨剥膜剂并搭配使用 Helios ARC Etch 化学品可轻松剥膜。 高温油墨容忍度克服了传统的油墨热熔的问题。

Helios ARC Etch

使用温和但非常有效的蚀刻而搭配抗反射涂层可形成精确的图案。

Helios Inkjet Stripper 喷墨剥膜剂

快速有效地从晶圆上移除 Helios 喷墨抗蚀膜，环保不会有残留物。