硅通孔 (TSV) 铜工艺
MICROFAB DVF 200 酸性镀铜工艺填充硅通孔（TSV），在高电镀速度下无空隙和其他缺陷。 该工艺专门针对孔直径范围为 5 至 20μm ，深宽比小于 10 的孔而设计。
MICROFAB DVF 200 技终端应用在一些关键电子产品如 CMOS 图像传感器（例如数码相机），中介板，DRAM 和闪存记忆体。
强大的 MICROFAB DVF 200 工艺具有在线添加剂监测和控制功能，并提供卓越的性能:
- 满足先进和新兴3D技术对尺寸缩小微型化的需求，兼具高性能和低成本。 使用打线封装的 3D 封装无法满足这些挑战。
- 提供更好的导电性和导热性，甚至可以用于钨和多晶硅的工艺。 此外，铜电镀是半导体工业广泛接受的成熟工艺。
- 在孔成型工艺中提供强大、无缺陷的填充性能和低拥有成本。
- 纪录制程 (POR) 已获业界领先的半导体制造商和电镀设备供应商的认可。
