晶圆级封装应用的锡银焊锡凸块电镀工艺
MICROFAB TS-650 是由铜柱电镀技术领导品牌开发而来，是一种高速，无铅的细间距锡银金属化工艺，适用于电镀金属柱、凸块、柱和封盖应用。 该工艺可在回流焊前后提供出色的表面形貌，适用于各种先进晶圆级封装设计的可焊性解决方案。
MICROFAB TS-650 工艺优点:
- 非常光滑均匀的无铅镀层应用
- 回流前后的优异标面形态
- 适用于凸块，支柱和封盖
- 高达 15 ASD 的高速电镀和超过 100 AH/L 的槽液寿命
- 低起泡沫工艺
半导体应用的锡电镀工艺
MICROFAB SN 300 是一种 MSA 的高速电镀工艺，可生产细致、哑光至半光亮的纯锡沉积镀层。该工艺在整个晶圆上沉积上厚度分布优秀及合金分布均匀的晶圆凸块。
MICROFAB SN 300 工艺的诸多优点包括:
- 符合 RoHS 和 WEEE 环境指令
- 优异的 63:37 锡：铅共晶替代品
- 适合高速大规模生产
- 合金阶段的稳定性和接近无空洞
- 低 α 射线工艺
